В Шанхайском техническом университете испытают сенсоры, созданные ТГУ
Китайские ученые протестируют сенсоры на основе арсенида галлия, созданные на базе центра «Перспективные исследования в микроэлектронике» Томского государственного университета. Особенностью этой разработки является высокая устойчивость к повреждающим факторам. Интерес китайской стороны заключается в возможности использования сенсоров в медицинских томографах.
В настоящее время ученые ТГУ являются мировыми лидерами в области производства сенсоров на основе высокоомного арсенида галлия, компенсированного хромом. Принципиальное отличие этих устройств заключается в том, что они считывают каждый квант и моментально преобразуют его в заряд, создающий импульс тока. То есть, им не требуется двойного преобразования – из кванта в световое излучение и уже затем в импульс тока. Кроме того, такая технология позволяет оценить энергию каждого кванта. Это позволяет формировать спектральные рентгеновские изображения и, как следствие, повышает информативность изображений.
– Тестирование наших устройств будет проходить в Шанхае на базе лаборатории Photonic Sensing & Imaging Lab, которую возглавляет профессор Лай Сяочунь. Сотрудники этой лаборатории занимаются разработкой счетного детектора для систем рентгеновской компьютерной томографии (CT) на основе многоэлементных сенсоров и специализированных интегральных микросхем, работающих в счетном режиме, – рассказал сотрудник центра «Перспективные технологии в микроэлектронике» ТГУ Андрей Зарубин. – Китайские ученые проведут исследование характеристик наших HR GaAs:Cr сенсоров, произведенных в лаборатории детекторов синхротронного излучения центра «Перспективные технологии в микроэлектронике» ТГУ. Основной момент, требующий детального изучения, – это стабильность работы сенсоров при загрузках до 108 квантов/пиксел. Именно с такими максимальными интенсивностями потока квантов работают рентгеновские томографы.
Во время недавнего визита в Шанхайский технический университет представители ТГУ выступили с докладом «Direct conversion HR GaAs:Cr pixel sensors for spectral X-ray imaging», содержащим основные результаты тестирования на базе ТГУ матричных HR GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения. Исследования в Шанхайском техническом университете завершатся ориентировочно летом 2024 года. По итогам будет принято решение о возможности использования сенсоров ТГУ в медицинской технике.
Добавим, что Шанхайский технический университет также проводит исследования с использованием синхротронного рентгеновского излучения, источником которого является синхротрон Института прикладной физики Китайской академии наук. Ученые Томского государственного университета, в свою очередь, являются мировыми лидерами в разработке сенсоров для источников синхротронного излучения. Эти сенсоры уже инсталлированы в исследовательские установки немецкого синхротронного центра DESY (Германия), Европейского синхротронного центра ESRF (Франция), Европейского центра ядерных исследований (CERN, Швейцария).